砷化镓（gallium arsenide）是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，禁带宽度1.4电子伏。2017年10月27日，世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单初步整理参考，砷和无机砷化合物在1类致癌物清单中。

中文名：砷化镓

外文名：Gallium Arsenide

化学式：GaAs

分子量：144.645

CAS登录号：1303-00-0

EINECS登录号：215-114-8

熔点：1238 ℃

密度：5.31 g/cm³

外观：黑灰色固体

应用：用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等

安全性描述：S20/21；S28；S45；S60；S61

危险性符号：T；N

危险性描述：R23/25

UN危险货物编号：1557

电子亲和能：4.07 eV

禁带宽度：1.424eV（300K）

相对介电常数：13.18

熔点：1238℃

折射率：3.57

相对介电常数：13.18

电子亲和能：4.07 eV

晶格能：5.65×10-10m

禁带宽度：1.424e（300K）

电子迁移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）

外观：黑灰色固体

GaAs的的另一个优点：它是直接能隙的材料，所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料，只能发射非常微弱的光。（但是，最近的技术已经可以用Si做成LED和运用在镭射。）

据专家介绍，砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。它还被广泛使用于军事领域，是激光制导导弹的重要材料，曾在海湾战争中大显神威，赢得“砷化镓打败钢铁”的美名。 据悉，砷化镓单晶片的价格大约相当于同尺寸硅单晶片的20至30倍。尽管价格不菲，国际上砷化镓半导体的年销售额仍在10亿美元以上。在“十五”计划中，我国将实现该产品的产业化，以占据国际市场。

主流的工业化砷化镓生长工艺包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有优劣，除了实际工艺制备的方法，另外一种就是通过计算机来实现砷化镓的晶体生长数值模拟，如利用FEMAG/VB能模拟VB、VGF法生长工艺，利用FEMAG/Cz能模拟CZ法生长工艺；国内北京有色金属研究总院在晶体生长过程中的微缺陷 、以及熔体和气流流动对晶体生长过程的影响作出了有效的计算模拟 ，对晶体生长的制备起到了技术指导的作用。

安全术语

S20/21：When using do not eat, drink or smoke.

使用时，不得进食，饮水或吸烟。

S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the manufacturer).

皮肤接触后，立即用大量...（由生产厂家指定）冲洗。

S45：In case of accident or if you feel unwell, seek medical advice immediately (show the lable where possible).

发生事故时或感觉不适时，立即求医（可能时出示标签）。

S60：This material and/or its container must be disposed of as hazardous waste.

该物质及其容器必须作为危险废物处置。

S61：If swallowed, do not induce vomiting: seek medical advice immediately and show this container or label.

吞食后不要催吐：立即求医并出示该容器或标签。

风险术语

R23/25：Toxic by inhalation and if swallowed.

吸入和吞食是有毒的。