刘治国，男，1943年生，博士，南京大学教授。

中文名：刘治国

毕业院校：哥廷根大学

学位/学历：博士

专业方向：理学

任职院校：南京大学

1966年毕业于南京大学物理系，1980年起留学于联邦德国哥廷根大学，师从著名材料物理学家P.哈森教授从事相变机制与相变动力学研究，1984年获哥廷根大学理学博士学位，回南京大学固体微结构实验室工作至今。1988年任教授，1993年任博士导师，现任国家“973”材料领域专家咨询组成员，中国集成电路材料产业大联盟专家委员会委员，Materials Letters杂志副编委。曾任“九五”、“十五”国家高技术(863)新材料领域专家委员会委员、副主任, 国家自然科学基金委员会监督委员会委员、常委，中国物理学会固体缺陷专业委员会主任。

铁电薄膜及其异质结构;铁电极化调控的铁电薄膜稳态输运;相变存储器与材料;MOSFET用高介电栅介质材料

文章

(1)Memristive behaviors of LiNbO3 ferroelectric diodes

Haitao Li, Yidong Xia, Bo Xu, Hongxuan Guo, Jiang Yin, and Zhiguo Liu

Applied Physics Letters 97, 012902 (2010)

(2)Effects of hydrostatic pressure on the electrical properties of hexagonal Ge2Sb2Te5: Experimental and theoretical approaches

B. Xu, Y. Su, Z.G. Liu, C.H. Zhang, Y.D. Xia, J. Yin, Z. Xu, W.C. Ren, Y.H. Xiang

Applied Physics Letters 98, 142112 (2011)

(3)Remarkable Hydrogen Storage Capacity In Li-Decorated Graphyne: Theoretical Predication

Y.H. Guo, K. Jiang, B. Xu, Y.D. Xia, J. Yin, Z.G. Liu

Journal of Physical Chemistry C 116, 13837 (2012)

(4)Tuned dielectric, pyroelectric and piezoelectric properties of ferroelectric P(VDF-TrFE) thin films by using mechanical loads

G. Bai, R. Li, Z.G. Liu, Y.D. Xia, J. Yin

Journal of Applied Physics 111, 044102 (2012)

(5) Ferroelectric domain evolution with temperature in BaTiO3 film on (001) SrTiO3 substrate

Guoliang Yuan, Jiangpeng Chen, Hui Xia, Junming Liu, Jiang Yin, Zhiguo Liu

Applied Physics Letters 103, 062903 (2013)

(6) The chemically driven phase transformation in a memristive abacus capable of calculating decimal fractions

Hanni Xu, Yidong Xia, Kuibo Yin, Jianxin Lu, Qiaonan Yin, Jiang Yin, Litao Sun and Zhiguo Liu

Scientific Reports 3, 1230 (2013)

(7) Continuously-tuned tunneling behaviors of ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3 heterostructure

Xin Ou , Bo Xu, Changjie Gong, Xuexin Lan, Qiaonan Yin, Yidong Xia, Jiang Yin and Zhiguo Liu,

AIP Advances 4, 057106 (2014)

专利

(1) 刘治国，胡卫生，冯端，一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法与装置，专利号：ZL 96 1 17210.X

(2) 李爱东，吴迪，凌惠琴，刘治国，闵乃本，一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的薄膜取向的方法，专利号：ZL 00 1 12548. 6

(3) 刘治国，朱俊，应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法，专利号： ZL 03 1 13461.0

(4) 朱俊，刘治国，高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法， 专利号：ZL 03 1 31923.8

(5) 朱俊，刘治国，应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及其制法，专利号：ZL 03 1 13462.9

(6) 刘治国，朱俊，高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法， 专利号：ZL 03 1 31920.3

专著

1，冯端等著：金属物理学，其中第七篇作者:刘治国，题目：相变动力学，科学出版社，北京，1990

2，冯端, 师昌绪, 刘治国主编: 材料科学导论--融贯的论述, 化学工业出版社,北京, 2002, 刘治国参与主编并撰写第11章, 合作撰写第18章。

3，译著：R. W. 卡恩、P. 哈森、E. J. 克雷默主编“材料科学与技术丛书”，第五卷;“材料的相变”，P. 哈森主编，刘治国等译，科学出版社，北京，1998

刘治国是南京大学材料系的创始人之一，曾任材料科学系副主任、代理系主任，在材料科学教育方面有重要贡献，参与主编的“材料科学导论”获2005年国家教学成果二等奖(刘排名第三)。